Dung lượng: 2TB NAND Flash:TLC (Samsung V-NAND 3bit MLC) Tuổi thọ đọc ghi:1.200TBW
DRAM Cache Memory:2 GB (Low Power DDR4) Đọc tuần tự:560 MB/s Ghi tuần tự:530 MB/s
Chia sẻ sản phẩm này
Mô tả
2200000
2400000
2050000
6800000
8100000
580000
4500000
1950000
2250000
Menu
Giỏ hàng
Tìm kiếm