Dung lượng:4 TB
NAND Flash:TLC (Samsung V-NAND 3bit MLC)
Tuổi thọ đọc ghi:2.400 TBW
DRAM Cache Memory:4 GB (Low Power DDR4)
Đọc tuần tự:560 MB/sGhi tuần tự:530 MB/s
Chia sẻ sản phẩm này
Mô tả
2050000
8100000
580000
Menu
Giỏ hàng
Tìm kiếm